[20p-F104-1~11] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[20p-F104-1] Quantification of Oxygen Vacancies in Solution-Processed IGZO by Photoluminescence Measurements

〇Takaaki Morimoto^1,3, Yusuke Ochiai^1,3, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:IGZO, Oxygen vacancy, Photoluminescence

溶液法IGZO薄膜トランジスタで電子散乱中心として働く酸素空孔の、フォトルミネセンス(PL)測定による検出を試みた。焼成温度の低下、あるいはGa比率の上昇により酸素空孔が増加するとPLピーク強度が増加することから、酸素空孔が検出可能であることが確認された。ここで、焼成温度が低くGa比率が高いほど酸素空孔が多いのは、低温ではGaが酸化せずIGZOの形成が不十分となるためと考えられる。