2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[20p-F104-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

2018年3月20日(火) 13:45 〜 16:45 F104 (61-104)

永田 肇(東理大)、和田 智志(山梨大)、森本 貴明(早大)

13:45 〜 14:00

[20p-F104-1] フォトルミネセンス測定による溶液法IGZO中の酸素空孔の定量

森本 貴明1,3、落合 祐輔1,3、福田 伸子3、大木 義路1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード:IGZO、酸素空孔、フォトルミネッセンス

溶液法IGZO薄膜トランジスタで電子散乱中心として働く酸素空孔の、フォトルミネセンス(PL)測定による検出を試みた。焼成温度の低下、あるいはGa比率の上昇により酸素空孔が増加するとPLピーク強度が増加することから、酸素空孔が検出可能であることが確認された。ここで、焼成温度が低くGa比率が高いほど酸素空孔が多いのは、低温ではGaが酸化せずIGZOの形成が不十分となるためと考えられる。