[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-14] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InAlN/AlN/GaN HEMTの成膜特性

〇津久井 雅之¹、名古 肇¹、宮野 清孝¹、家近 泰¹、高橋 英志¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ)

キーワード：InAlN、HEMT、MOCVD/MOVPE

GaNデバイスの低コスト化の実現に向けて、200mmまでの基板に対応した枚葉式高速回転MOCVD装置を開発した。今回、高周波デバイスとして注目されているInAlN/AlN/GaN HEMT構造について200mm Si基板上での成膜特性を調べた結果、高い面内均一性と良好な2DEG特性が得られた。直径方向のシート抵抗分布は209±4ohm/sq.であった。また、InAlN中へのGaの混入も1000ppm未満に抑えられていることを確認した。