[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-15] MOCVDを用いたInAlN/AlN/GaNヘテロ構造の成長

〇高橋 言緒¹、朴 冠錫²、矢野 良樹²、田渕 俊也²、松本 功²、井手 利英¹、清水 三聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：InAlN、HEMT、MOCVD

InAlNはIn比約18%でGaNと格子整合し、InAlN/GaN からなるHEMT構造は高周波領域（100GHz～）での大電流動作が期待されている。さらに AlN薄膜を挟んだInAlN/AlN/GaN構造にすることは合金散乱を減少させるうえで有効であり、その界面品質は重要である。本研究ではサファイア基板上にInAlN/AlN/GaN HEMT構造をMOCVD装置により作成し、その特性を調べた。