11:15 〜 11:30 △ [20a-E301-9] PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、金木 奨太3、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)