13:00 〜 13:15 [21p-B31-2] ミストCVD法による表面平坦性の優れたα-Ga2O3薄膜の作製 〇(M1)安岡 龍哉1、尾﨑 珠子1、田頭 侑貴1、刘 丽2、ダン タイジャン2、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大シス工、2.高知工大総研)