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[21p-B31-2] Fabrication of α-Ga2O3 thin film with smooth surface by Mist CVD
Keywords:Gallium Oxide, Mist CVD
a-Ga2O3は4.9 ~ 5.3 eVと大きなバンドギャップを有しており、深紫外LED等への応用が期待されている。我々の研究グループでは非真空機能性薄膜作製技術であるミストCVD法を開発しており[1]、ミストCVD法はa-Ga2O3薄膜を成膜するのに有効な手法の一つである[2]。しかし、表面粗さを低減させることが問題点の一つであった。今回、成膜時にHClを支援し、原料濃度を濃くすることにより、表面粗さを低減させることに成功したため報告する。