13:30 〜 15:30 [19p-PB3-13] Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅱ 〇吉田 信輝1、古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)