Qiang Ma

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発表者・著者、共著者

2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 E301 (E301)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

11:15 〜 11:30

▲ [19a-E301-7] Transient Response of Drain Current after Biasing-Stress in GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

〇Qiang Ma¹、Yuji Ando²、Shiyo Urano¹、Akio Wakejima¹ (1.Nagoya Inst.of Tech.、2.Nagoya Univ.)