13:30 〜 15:30 [19p-PB3-10] Al 2 O 3 / AlInGaN / GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造のトラップ状態の特性評価 〇藤田 紘空1、ビスワス ディバリン1、鳥居 直生1、吉田 貴広1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大院)