10:00 〜 10:15 [20a-B31-5] 陽極酸化アルミニウムのゲート絶縁膜応用によるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの低温作製 〇(M1C)森 海1、是友 大地1、河野 守哉1、古田 守1,2 (1.高知工科大、2.総研)