山末耕平

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発表者・著者、共著者

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:45 〜 12:00

[20a-E311-11] 不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 ―

〇山末耕平¹、山岸裕史¹、長康雄¹ (1.東北大通研)