Taehyeon Kil

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発表者・著者、共著者

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

10:45 〜 11:00

▼ [20a-E311-7] Significant effects on SiO₂/4H-SiC band alignment induced by the difference of employed crystal face and post oxidation annealing processes

〇(D)Taehyeon Kil¹、Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)