[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開～

2019年9月18日(水) 13:30 〜 17:30 E101 (大講堂)

平山秀樹(理研)、小出康夫(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 14:00

[18p-E101-1] イオン注入を用いたGaN MOSFETの進展と高性能化への課題

〇高島信也¹、田中亮¹、上野勝典¹、江戸雅晴¹、三石和貴²、埋橋淳²、大久保忠勝²、宝野和博²、陳君²、関口隆史²、色川芳宏²、生田目俊秀²、小出康夫² (1.富士電機、2.物材機構)

14:00 〜 14:30

〇尾崎史朗^1,2、牧山剛三^1,2、多木俊裕^1,2、熊崎祐介^1,2、新井田佳孝^1,2、佐藤優^1,2、美濃浦優一^1,2、山田敦史^1,2、小谷淳二^1,2、岡本直哉^1,2、中村哲一^1,2 (1.富士通、2.富士通研)

14:30 〜 15:00

〇小出康夫¹、井村将隆¹、劉江偉¹、廖梅勇¹ (1.物材機構)

15:00 〜 15:30

〇本久順一¹ (1.北大)

16:00 〜 16:30

〇Ke Wang^1,2、Li Wang²、Tsung Tse Lin²、K Fukuda²、Hideki Hirayama² (1.Nanjing Univeristy、2.RIKEN, RAP)

16:30 〜 17:00

〇竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹、赤﨑勇^1,2 (1.名城大理工、2.名大)

17:00 〜 17:30

〇片山竜二¹、上向井正裕¹、谷川智之¹ (1.阪大工)