一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
13:45 〜 14:00
〇田中 一1,2、森 伸也1 (1.阪大院工、2.京大)
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14:00 〜 14:15
〇塚原 浩平1、吉田 勝尚1、佐野 伸行1 (1.筑波大数理)
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14:15 〜 14:30
〇(D)橋本 風渡1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大工)
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14:30 〜 14:45
〇(M2)岡田 崇太1、吉田 勝尚1、佐野 伸行1 (1.筑波大数理)
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14:45 〜 15:00
〇相馬 聡文1、有堀 光貴1、牧 大介1、小川 真人1 (1.神戸大院工)
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15:00 〜 15:15
〇(B)中谷 隆帆1、平田 紘大1、川原 颯真1、須子 統太2、村口 正和1 (1.北科大工、2.早大社)
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15:30 〜 15:45
〇(M1)屋嘉部 太志1、鎌倉 良成2、森 伸也1 (1.阪大工、2.大阪工大)
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15:45 〜 16:00
〇大島 佑太1、安藤 幹1、吉田 僚一郎1、平川 顕二1、岩瀬 正幸1、小笠原 宗博1、依田 孝1、石原 昇1、伊藤 浩之1 (1.東工大)
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16:00 〜 16:15
〇(D)Sylvia YukYee Chung1、Motohiro Tomita1、Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ.)
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16:15 〜 16:30
〇服部 淳一1、池上 努1、福田 浩一1 (1.産総研)
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16:30 〜 16:45
〇熊谷 祐希1、阿部 成海1、尾花 宏樹1、小笠原 稜2、久保田 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2 (1.熊大院自、2.熊大工)
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