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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[20p-E312-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

2019年9月20日(金) 13:30 〜 17:30 E312 (E312)

山田貴壽(産総研)、吉武剛(九大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

△ [20p-E312-1] Diamond Surface Patterning by Nickel Imprint Technique under High Temperature Hydrogen Atmosphere

〇(DC)Taira Tabakoya^1,2、Kazuto Sakauchi¹、Masatsugu Nagai¹、Yuto Nakamura¹、Tsubasa Matsumoto¹、Takao Inokuma¹、Norio Tokuda^1,2、Hiromitsu Kato²、Yukako Kato²、Masahiko Ogura²、Daisuke Takeuchi²、Toshiharu Makino²、Satoshi Yamasaki^1,2 (1.Kanazawa Univ. for Kanazawa University、2.AIST for National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

13:45 〜 14:00

[20p-E312-2] 角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のICPエッチングダメージ評価

〇和田励虎¹、滝沢耕平¹、加藤有香子²、小倉政彦²、牧野俊晴²、山崎聡²、野平博司¹ (1.東京都市大学、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[20p-E312-3] 共焦点ラマン分光マッピングを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド中の転位の評価Ⅱ

〇(PC)市川公善¹、寺地徳之¹、嶋岡毅紘¹、加藤有香子²、小泉聡¹ (1.物材機構、2.産総研)

14:15 〜 14:30

[20p-E312-4] ダイヤモンドのリンドナーの電子スピン共鳴検出と応力の関係

〇(D)真栄力¹、加藤宙光²、牧野敏晴²、山崎聡²、小泉聡³、梅田享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.物材研)

14:30 〜 14:45

△ [20p-E312-5] 多結晶ダイヤモンド表面の粒内および粒界の局所電気状態評価

〇吉井大陸¹、藤井茉美¹、唐木裕馬¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-E312-6] 微粒子ダイヤモンドの誘電泳動特性

〇稲葉優文¹、林将平¹、李赫男¹、中野道彦¹、末廣純也¹ (1.九大シス情)

15:00 〜 15:15

[20p-E312-7] 同軸型アークプラズマ堆積法により超硬基板上に堆積される超ナノ微結晶ダイヤモンド膜へのボロンドープの効果

〇吉武剛¹、エギザモハメド²、村澤功基³、モハメドアリアリ⁴、福井康雄³、権田英修³、櫻井正俊³ (1.九大総理工、2.カフルアッシャイフ大、3.オーエスジー（株）、4.アルアズハル大)

15:45 〜 16:00

[20p-E312-8] InP封入して合成したナノ多結晶ダイヤモンドの特性

〇福田玲¹、村上洋平¹、石川史太郎¹、松下正史¹、新名亨²、大藤弘明²、入舩徹男² (1.愛媛大工、2.愛媛大GRC)

16:00 〜 16:15

[20p-E312-9] Pイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドの表面近傍元素分布

〇東浦健人¹、福田玲¹、村上洋平¹、石川史太郎^1,2、松下正史^1,2、新名亨²、大藤弘明²、入舩徹男² (1.愛媛大工、2.愛媛大 GRC)

16:15 〜 16:30

△ [20p-E312-10] 熱フィラメントCVD法による(111)面上へのリンドープn型ダイヤモンド膜の成長

〇片宗優貴¹、森大地¹、有川大輔¹、和泉亮¹、嶋岡毅紘²、市川公善²、小泉聡² (1.九州工大、2.物材機構)

16:30 〜 16:45

[20p-E312-11] イオン注入とポストアニールによって形成したPドープIIa型ダイヤモンドの電気特性評価

〇稲垣俊哉¹、関裕平¹、星野靖¹、中田穣治¹ (1.神奈川大院理)

16:45 〜 17:00

[20p-E312-12] {111}ダイヤモンドにおけるホウ素取り込みの基板オフ角依存性

〇(PC)嶋岡毅紘¹、市川公善¹、小泉聡¹ (1.物材機構)

17:00 〜 17:15

[20p-E312-13] 室温¹¹B⁺イオン注入及び1150°C, 1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング

〇関裕平¹、星野靖¹、中田穣治¹ (1.神奈川大院理)

17:15 〜 17:30

[20p-E312-14] Feドープダイヤモンド薄膜のプラズマCVD成長

〇河野慎¹、平間一行¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

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