〇(D)EKKAPHOP KETSOMBUN¹、XIANGYU WU^3,4、INGE ASSELBERGHS⁴、SWATI ACHRA^3,4、CEDRIC HUYGHEBAERT⁴、DENNIS LIN⁴、ZSOLT TOKEI⁴、KAZUYOSHI UENO^1,2 (1.Shibaura Institute of Tech.、2.SIT-RCGI、3.KU Leuven、4.imec)

09:30 〜 11:30

▲ [21a-PB1-54] Enhanced Mechanical Stability for Suspended Graphene Devices Fabrication

〇(DC)WANG Zhongwang¹、Manoharan Muruganathan¹、Marek Edward Schmidt¹、Yukinori Morita²、Shinichi Ogawa²、Hiroshi Mizuta^1,3 (1.JAIST、2.AIST、3.Hitachi Cambridge)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-55] 水蒸気雰囲気下のh-BN基板グラフェンFETのシミュレーション

〇(M2)木岡夕星¹、前川侑毅¹、笹岡健二²、山本貴博^1,2 (1.東理大工、2.W-FST)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-56] Mo膜硫化によるMoS₂の配向成長

〇林賢二郎^1,2、片岡真紗子¹、實宝秀幸^1,2、大淵真理^1,2、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-57] 二段重ね基板間の間隙を利用したMoS₂薄膜のCVD成長

〇高橋巧成¹、西敬生¹、高岡毅²、米田忠弘² (1.神戸高専、2.東北大多元研)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-58] 硫化による二硫化錫薄膜の結晶性評価

〇田村優樹¹、百瀬友博¹、中村篤志¹ (1.静大院工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-59] MoS₂スパッタ膜の結晶性評価

〇蓮池紀幸¹、山内翔¹、西尾弘司¹、鴨井督²、木曽田賢治³ (1.京都工繊大、2.京都府中技センター、3.和大)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-60] PDMS転写法を用いたMoS₂ FETの作製

〇小倉匡樹¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-61] Characterization of top-gate MoS₂MOSFETs with PEALD-ZrO₂gate dielectric

〇WENHSIN CHANG¹、Naoya Okada¹、Hidehiro Asai¹、Koichi Fukuda¹、Mitsuhiro Okada¹、Takahiko Endo²、Yasumitsu Miyata²、Toshifumi Irisawa¹ (1.AIST、2.TMU)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-62] MoS₂を用いた電気二重層トランジスタにおける2種類の界面抵抗

〇浜本あや¹、安斎愛子¹、今武美保¹、相川夕美花¹、石黒亮輔¹ (1.日女大理)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-63] 流体環境下における二硫化モリブデン電界効果トランジスタの動作特性

〇田中悠太¹、高岡毅²、和泉廣樹¹、Md Iftekhaharul Alam¹、Muhammad Shamim Al Mamun¹、米田忠弘² (1.東北大院理、2.東北大多元研)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-64] PVAによるMoS₂FETへのキャリアドーピングと電気特性への影響

〇松崎貴広¹、大場智明¹、川那子高暢¹、小田俊理¹ (1.東工大量子ナノ研)

09:30 〜 11:30

▲ [21a-PB1-65] N-type Dopant Incorporated Multilayer MoS₂-Field Effect Transistors

〇MuhammadShamimAl Mamun¹、Hiroki Waizumi¹、Tsuyoshi Takaoka²、Md Iftekhar Alam¹、Yudai Tanaka¹、Tadahiro Komeda² (1.Tohoku University、2.IMRAM)

09:30 〜 11:30

▲ [21a-PB1-66] Photo Electric Effect of Dopamine and Copper (II) phthalocyanine molecule adsorption on 2D Layered MoS₂-based Field Effect Transistor

〇(DC)Md Iftekharul Alam¹、Tsuyoshi Takaoka²、Hiroki Waizumi¹、Muhammad Mamun¹、Yudai Tanaka¹、Tadahiro Komeda² (1.Tohoku Uinversity、2.IMRAM)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-67] MoSe₂/GaAsヘテロエピタキシーにおける基板面方位依存性

〇大竹晃浩¹、佐久間芳樹¹ (1.物材機構)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-68] ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果

〇佐久間芳樹¹、Li Shisheng¹、池田直樹¹、大竹晃浩¹ (1.物材機構)

09:30 〜 11:30

△ [21a-PB1-69] 乱流を用いたCVD法によるMoO₂ ナノワイヤの成長メカニズムおよびその硫化によるMoS₂ の合成

〇(M1)後藤真菜美¹、柳瀬隆²、長浜太郎²、島田敏宏² (1.北大院総化、2.北大院工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-70] 液体前駆体を用いたWS₂薄膜のMBE成長

〇(M1)井上敬道¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-71] 量子物性発現を志向した有機/二次元無機半導体接合系の構築

〇(B)松山圭吾¹、福井暁人¹、青木佑樹¹、山田悠貴¹、木村大輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹、桐谷乃輔^1,2 (1.阪府大工、2.科学技術振興機構さきがけ)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-72] イオン性有機物との接合による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調

〇木村大輔¹、山田悠貴¹、松山圭吾¹、福井暁人¹、青木佑樹¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹、桐谷乃輔^1,2 (1.大阪府大工、2.科学技術振興機構さきがけ)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-73] MoTe₂を用いたIn-Plane TFETの作製

〇(M2)大内秀益¹、坂梨昂平¹、クリューガーピーター¹、バードジョナサン²、青木伸之¹ (1.千葉大物質、2.バッファロー大)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-74] β相MoTe₂の大型単結晶合成

〇(M1)森拓哉¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-75] 物理的気相輸送法による三方晶セレン結晶成長

〇鈴木裕一郎¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2 (1.信州大工、2.信州大先鋭材料研究所)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-76] 二セレン化ニオブのエピタキシャル成長と結晶評価

〇蜂屋廉¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2 (1.信州大工、2.信州大先材研)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-77] NbSe₂超伝導劈開膜のトンネル分光

〇友利ひかり¹、羽生一貴¹、神田晶申¹ (1.筑波大数理)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-78] 二元系A^NB^8-N 化合物における二次元原子層物質の構造安定性に関する理論的検討

〇秋山亨¹、長谷川裕也¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-79] Re系TMDCs結晶の作製と面内キャリア輸送特性

〇土井文晶¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2 (1.信大工、2.信大先材研)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-80] チタニアナノシート膜を用いた抵抗変化型メモリ動作と安定性の評価

〇佐藤匡哉¹、原正大²、船津麻美²、野内亮^1,3 (1.大阪府大院工、2.熊大院先端、3.JSTさきがけ)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-81] グラファイト超薄膜を電極に用いた原子層物質の電気伝導測定

〇(M1)羽生一貴¹、友利ひかり¹、神田晶申¹ (1.筑波大数理物質)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-82] 超高感度力計測へ向けたグラフェン機械共振器の小型化

〇(M1)池本拓史¹、中川魁斗¹、井上太一¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-83] 量子ドットを担持したh-BN機械共振器

〇堀雅司¹、森本悠介¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-84] 誘電効果駆動におけるドラム型hBN機械共振器の共振周波数制御

〇(M1)森本悠介¹、竹井邦晴¹、有江隆之¹、秋田成司¹ (1.大阪府大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-85] FET特性に向けた大面積ゲルマナン薄膜の堆積法の検討

〇古沢侑也¹、山本陸¹、久保理¹、田畑博史¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

09:30 〜 11:30

[21a-PB1-86] FETバイオセンサにおけるゲート電極表面特異性の評価

〇新澤亮介¹、中村篤志¹ (1.静大院総合科学技術研究科)

セッション情報

[21a-PB1-1~86] 17 ナノカーボン（ポスター）

▲ [21a-PB1-1] Efficient synthesis of low-defect carbon nanotube from carbon nano-onion at high temperature through balancing gas phase conditions in two-stage growth

▲ [21a-PB1-6] Synthesis of highly N doped carbon dots through solution plasma for molecular detection

▲ [21a-PB1-18] Controlled Filling of Donner and Accepter Molecules inside SWCNTs for Precise Carrier Density Control

▲ [21a-PB1-25] Amorphous-Carbon Barrier against Moisture for Cu Metallization

▲ [21a-PB1-29] Structural analysis of twisted graphene by scanning probe microscope grown on template graphene

▼ [21a-PB1-37] Defect Repair of Graphene Oxide by Various Organic Solvents through Chemical Vapour Deposition

▲ [21a-PB1-38] The initial stage of graphene growth on SiC(0001) by CVD

▼ [21a-PB1-48] Fabrication and Characterization of Organic Ferroelectric Poly (vinylidene fluoride)/Reduced Graphene Oxide Thin Film Heterostructures

▲ [21a-PB1-53] Chemical Concentration Dependence of MoCl5 Intercalation to Bilayer Graphene

▲ [21a-PB1-54] Enhanced Mechanical Stability for Suspended Graphene Devices Fabrication

▲ [21a-PB1-65] N-type Dopant Incorporated Multilayer MoS2-Field Effect Transistors

▲ [21a-PB1-66] Photo Electric Effect of Dopamine and Copper (II) phthalocyanine molecule adsorption on 2D Layered MoS2-based Field Effect Transistor

△ [21a-PB1-69] 乱流を用いたCVD法によるMoO2 ナノワイヤの成長メカニズムおよびその硫化によるMoS2 の合成

認証

▲ [21a-PB1-53] Chemical Concentration Dependence of MoCl₅ Intercalation to Bilayer Graphene

▲ [21a-PB1-65] N-type Dopant Incorporated Multilayer MoS₂-Field Effect Transistors

▲ [21a-PB1-66] Photo Electric Effect of Dopamine and Copper (II) phthalocyanine molecule adsorption on 2D Layered MoS₂-based Field Effect Transistor

△ [21a-PB1-69] 乱流を用いたCVD法によるMoO₂ ナノワイヤの成長メカニズムおよびその硫化によるMoS₂ の合成