2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:00 B11 (B11)

齋藤 真澄(東芝メモリ)

09:15 〜 09:30

[18a-B11-2] 酸素雰囲気アニールをしたTaOxReRAMにおける電気抵抗の評価

〇(M1C)道古 宗俊1、石井 芳晶1、茂庭 昌弘1 (1.東京工科大工)

キーワード:ウェアラブル、不揮発性メモリ、ReRAM

IoTウェアラブルエッジ端末の低消費電力化に向け,抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている.本研究では,酸化膜(TaOx)堆積後に酸化アニール工程を挿入し,その温度とReRAM電気抵抗値との対応を調べた.ReRAMの酸化膜(TaOx)を酸素雰囲気でアニールすることにより酸素空孔濃度を低減すれば,HRS抵抗値が増加し,一方でLRS抵抗値には概ね変化がないため,高い抵抗比(>4桁)が実現できる.