[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [18a-B11-2] 酸素雰囲気アニールをしたTaO_xReRAMにおける電気抵抗の評価

〇(M1C)道古 宗俊¹、石井 芳晶¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：ウェアラブル、不揮発性メモリ、ReRAM

IoTウェアラブルエッジ端末の低消費電力化に向け，抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている．本研究では，酸化膜(TaO_x)堆積後に酸化アニール工程を挿入し，その温度とReRAM電気抵抗値との対応を調べた．ReRAMの酸化膜(TaO_x)を酸素雰囲気でアニールすることにより酸素空孔濃度を低減すれば，HRS抵抗値が増加し，一方でLRS抵抗値には概ね変化がないため，高い抵抗比(>4桁)が実現できる．