[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-1] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(2)Precipitate EngineeringからPoint Defect Engineeringへ

〇井上 直久^1,2 (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)

キーワード：シリコン結晶、点欠陥、制御

シリコン結晶とトランジスタが誕生してから60年の歴史をDefect engineeringの寄与について振り返った。LSI時代にはprecipitate engineeringが開始され、SOC時代にはmicrodefect、パワーデバイス時代にはCiOi engineeringによりキーデバイスが実現されておりこれらは今後point defect engineeringとしてさらに発展する。