09:00 〜 09:15 [18a-C212-1] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(2)Precipitate EngineeringからPoint Defect Engineeringへ 〇井上 直久1,2 (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)
09:15 〜 09:30 [18a-C212-2] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（15）NO対系シャローサーマルドナーの熱処理挙動 〇井上 直久1,2、奥田 修一2、川又 修一2 (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)
09:30 〜 09:45 [18a-C212-3] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅨ) 第二世代赤外吸収測定法の標準手順 〇井上 直久1,2、奥田 修一2、川又 修一2 (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)
