[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-10] カスプ磁場印加CZ法におけるシリコン融液中の酸素輸送の3次元数値解析

〇村上 大祐¹、刘 鑫²、中野 智²、原田 博文²、宮村 佳児²、柿本 浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード：シリコン、CZ法、カスプ磁場

本研究では，カスプ磁場がシリコン融液中の酸素輸送に及ぼす影響を検討するため，カスプ磁場印加CZ法によるシリコン単結晶成長過程の3次元数値解析を行った．計算にあたっては，Liuらが開発した2次元-3次元複合解析モデルを参考に，Biot-Savartの法則に基づきカスプ磁場を再現する計算モデルを作成した．計算結果から，磁場の設計を最適化することで，結晶成長界面形状や酸素濃度の制御が可能であることが示唆された．