[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-11] CZ-Si単結晶育成におけるポリシリコン溶解工程の昇温速度と結晶炭素濃度の関係

〇高橋 一真¹、坪田 寛之¹、永井 勇太¹、安部 吉亮¹、松村 尚¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：結晶成長、シリコン、炭素濃度