[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-4] 結晶成長における欠陥形成体積の解釈について

〇白井 光雲¹ (1.阪大産研)

キーワード：格子欠陥、結晶成長、形成体積

シリコン結晶の成長において応力の与える点欠陥への影響について、応力が非一様な場合には、圧縮応力条件下では格子空孔が、引張応力では格子間位置原子が優勢になるという理論が提案された。そして最近この理論を支持する実験が示された。しかし前者の理論は欠陥の形成体積に対して基本的な誤りがあると思われる。本研究では、どこに誤りがあったか、正しい解釈を示す。