[18a-C309-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [18a-C309-8] Identification of Gas-chemistry-dependent “Effective” Polarity of Plasma-damaged Layer in Si Substrates

〇Takashi Hamano¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma-induced damage, gas-chemistry dependence, defect profile

プラズマプロセス時にSi基板に形成される欠陥構造がMOSデバイスの性能・信頼性に大きな影響を与えている．高性能半導体デバイス設計には，欠陥の超低密度化と同時に，残留する欠陥の準位解析，すなわち「ダメージ層の電気的極性」を明らかにすることが重要である．本講演では，希ガスおよび反応性ガスを用いたプラズマ照射により形成される欠陥準位を，電気容量解析手法を最適化して実験的に同定した結果について報告する．