〇野沢 善幸¹、リャオ ブライアン¹、藤井 竜介¹、速水 利泰¹、大堀 大介²、野田 周一³、門井 幹夫⁴、石田 昌久⁵、田中 麻美⁵、曽田 匡洋⁵、遠藤 和彦³、寒川 誠二² (1.SPPテクノロジーズ、2.東北大流体研、3.産総研、4.リソテックジャパン、5.長瀬産業)

〇門井 幹夫¹、石田 昌久²、田中 麻美²、曽田 匡洋²、大堀 大介³、野田 周一⁴、野沢 善幸⁵、リャオ ブライアン⁵、藤井 竜介⁵、速水 利泰⁵、遠藤 和彦⁴、寒川 誠二³ (1.リソテックジャパン、2.長瀬産業、3.東北大流体研、4.産総研、5.SPPテクノロジーズ)

〇藤崎 寿美子¹、山口 欣秀¹、小林 浩之¹、篠田 和典¹、山田 将貴¹、濱村 浩孝¹、川村 剛平²、大竹 浩人²、伊澤 勝² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

〇伊藤 智子¹、唐橋 一浩¹、浜口 智志¹ (1.阪大院工)

〇平田 瑛子¹、深沢 正永¹、長畑 和典²、李 虎³、唐橋 一浩⁴、浜口 智志⁴、辰巳 哲也¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、3.東京エレクトロン、4.大阪大学)

〇(D)森山 誠¹、三矢 晶洋¹、中原 尚哉¹、鈴木 陽香¹、豊田 浩孝¹ (1.名大工)

〇(M1)Kang Hojun¹、Ito Tomoko¹、Um Junghwan²、Kokura Hikaru²、Kang Taekyun²、Cho Sungil²、Park Hyunjung²、Isobe Michiro¹、Karahashi Kazuhiro¹、Hamaguchi Satoshi¹ (1.Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Enginerring, Osaka Univ、2.Memory Etch Technology Team, Samsung Electronics)

〇濱野 誉¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

〇山本 昌裕¹、石井 明男²、新里 秀平²、尾方 成信² (1.パナソニック、2.阪大院基礎工)

〇林 俊雄¹、石川 健治¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学)