11:15 〜 11:30
△ [18a-C309-8] Si基板中に形成されるガス種に依存したプラズマ誘起ダメージ層極性の同定
キーワード：プラズマ誘起ダメージ、ガス種依存性、欠陥準位分布
プラズマプロセス時にSi基板に形成される欠陥構造がMOSデバイスの性能・信頼性に大きな影響を与えている．高性能半導体デバイス設計には，欠陥の超低密度化と同時に，残留する欠陥の準位解析，すなわち「ダメージ層の電気的極性」を明らかにすることが重要である．本講演では，希ガスおよび反応性ガスを用いたプラズマ照射により形成される欠陥準位を，電気容量解析手法を最適化して実験的に同定した結果について報告する．