[18a-E101-1~12] 12.5 有機太陽電池

[18a-E101-5] 界面パッシベーションによるPbS量子ドット/ZnOナノワイヤーヘテロ接合太陽電池の電荷再結合の抑制

〇(M1)中村 眞子¹、丁 超¹、早瀬 修二¹、豊田 太郎¹、沈 青¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：PbS量子ドット、ZnOナノワイヤ、太陽電池

量子ドット(QDs)太陽電池は、シリコン型太陽電池に比べて多くの利点を持つことから次世代太陽電池の1つとして研究が進められている。デバイス構造として、ｐ型半導体にPbS QDs、n型半導体にZnOナノワイヤ(ZnO NWs)が用いられたものがある。しかし、ZnO NWsの表面欠陥により電荷再結合が増加してしまい、最大光電変換効率が9.6 %にとどまっている。よって、電荷再結合の抑制のためにZnO NWsの表面にZnMgOをパッシベーションさせ、PbS QDs/ZnO NWs @ZnMgOヘテロ接合太陽電池の界面における電荷再結合の抑制について検討した。