[18a-E206-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[18a-E206-5] 新規窒化物半導体MgSnN₂及びCaSnN₂の高圧合成

〇川村 史朗¹、井村 将隆¹、山田 直臣²、村田 秀信³、谷口 尚¹ (1.物質・材料研究機構、2.中部大工、3.大阪府大工)

キーワード：窒化物半導体、多元系半導体