2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.1 バルク結晶成長

[18a-E207-1~10] 15.1 バルク結晶成長

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 E207 (E207)

横田 有為(東北大)、綿打 敏司(山梨大)

11:00 〜 11:15

[18a-E207-8] 熱CVD法による金属基板上へのイリジウム成膜とその評価

佐藤 浩樹1,2,3、後藤 孝1、横田 有為1、吉野 将生4、山路 晃広4、豊田 智史1、大橋 雄二1、黒澤 俊介1、鎌田 圭1、奥野 敦2,3、吉川 彰1,4 (1.東北大NICHe、2.三幸、3.TUP、4.東北大金研)

キーワード:熱CVD、イリジウム膜、るつぼ

本研究では、機能性酸化物単結晶育成用のルツボ材として広く用いられているレアメタルのイリジウム量の低減を目的に、熱CVD法によるモリブデン等の高融点金属元素へのイリジウム成膜技術検討を行った。熱CVD成膜時に使用する有機金属原料温度、成膜圧力、基板温度等の最適化を行うことで、Ir-Mo傾斜膜の成膜に成功した。当日は、各条件で成膜したIr-Mo膜のSEM観察および組成分析結果について報告する。