2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-E303-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:15 E303 (E303)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

09:00 〜 09:15

[18a-E303-1] シリコン表面上における二成分系有機物の吸着・脱離過程の温度依存性

堀 健太1、〇金井 友彦1、羽深 等1 (1.横国大院理工)

キーワード:吸着・脱離、有機物

半導体シリコン表面における有機物の吸着・脱離については、室温付近の僅かな温度変化にも依存性を示すこと、有機物が二成分系のとき有機物の気中濃度の変化に対して非可逆的挙動を示す場合があることが知られている。そこで我々は、二成分系における有機物の吸着・脱離の非可逆的挙動の温度依存性を把握することを試みた。本報では、フタル酸ジエチル(DEP)およびメントン(Mth)の二成分系について詳細を報告する。