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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-E303-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:15 E303 (E303)

嵯峨幸一郎(ソニー)、蓮沼隆(筑波大)

11:30 〜 11:45

△ [18a-E303-10] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂/Siにおける界面状態不均一の可視化に関する検討

〇(B)鈴木小春¹、山末耕平¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、界面、シリコン