[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18a-E304-1] ガラス基板上(100)CWレーザー結晶化におけるSi薄膜の膜厚依存性

〇佐々木 伸夫^1,2,3、Muhammad Arif²、浦岡 行治²、後藤 順³、杉本 重人³ (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大、3.ブイ・テクノロジー)

キーワード：レーザーアニール、CW　レーザー、surface crystal orientation

（100）CWレーザ結晶化技術をガラス基板上a-Si薄膜へ応用すると同時に、(100) 表面方位制御のa-Si 膜厚依存性を検討した。