[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-E310-3] 低転位な緩和AlGaN上に作製したUV-Bデバイスへの高電流注入

〇安江 信次¹、佐藤 恒輔^1,2、櫻木 勇介¹、荻野 雄矢¹、田中 隼也¹、手良村 昌平¹、岩山 章^1,4、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,3、三宅 秀人⁴ (1.名城大・理工、2.旭化成、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ)

キーワード：UV、AlGaN