[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-5] [講演奨励賞受賞記念講演] 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用

〇川瀬 雄太¹、池田 隼也¹、櫻木 勇介¹、安江 信次¹、手良村 昌平¹、田中 隼也¹、荻野 雄矢¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩山 章^1,3、赤﨑 勇^1,2、三宅 秀人³ (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.三重大・地域イノベ)

キーワード：AlGaN、レーザ

本報告では、表面平坦性が異なる高温処理されたスパッタAlN膜上に、AlNモル分率60%程度の厚膜のAlGaNを成膜させた結果、成長モードに差異が見られた。また、AlGaNの成長モードの差異はAlN下地層の結晶性が影響していることも確認した。そのAlGaN上に活性層を積層させ、光励起法によりレーザ特性を調査した。3次元成長したAlGaNを用いた試料の閾値励起パワー密度は、2次元成長したAlGaN を用いた試料と比較した場合、1/6程度低く、36 kW/cm2まで低減できた。