[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-8] DCスパッタAlNを用いたAlGaN層格子緩和の促進

〇最上 耀介^1,2、大澤 篤史³、尾崎 一人³、谷岡 千丈³、前岡 淳史³、糸数 雄吏^1,2、桑葉 俊輔^1,2、定 昌史¹、前田 哲利¹、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉院理工、3.SCREEN)

キーワード：スパッタ、アニール、歪

AlGaN深紫外LEDは水や空気の殺菌・浄化などの応用が期待され、高効率化、高出力化に向けて研究が進んでいる。ウルツ鉱型の結晶構造を持つAlGaNは歪による分極の効果が大きいことから、AlGaN LEDの特性向上には活性層の歪状態を制御することが重要となる。今回我々は、異なる膜厚のAlNテンプレートを用い、種々の膜厚のAlGaN層に対する緩和率や曲率を調べ、歪制御の可能性を検討した。