[18a-E311-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-E311-8] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合の電気特性の温度依存性

〇根元 亮一¹、阪永 裕士¹、Yujun Zhang¹、和達 大樹¹、新船 幸二¹、吉田 晴彦¹、堀田 育志¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：遷移金属酸化物、強相関、シリコン

次世代の電子デバイス開発において、遷移金属酸化物の電子物性とシリコンエレクトロニクスを融合させることの重要性が益々大きくなっている。しかし、遷移金属酸化物の電子物性をシリコンデバイスに直接組み込んだ研究の報告は依然として少ない。我々はMott 絶縁体である(La_1-xSrx)VO₃(LSVO)とシリコンの直接接合構造を作製し、遷移金属酸化物とシリコンの機能融合を目指した研究を行ってきた。今回は、LSVO/p-Si(100)接合の電気特性の温度依存性を調査した。