2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-E311-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:30 E311 (E311)

村岡 祐治(岡山大)

11:15 〜 11:30

[18a-E311-9] (La1-xSrx)VO3/p-Si(100)接合のエネルギーバンド不連続性の測定

阪永 裕士1、根元 亮一1、Yujun Zhang1、和達 大樹1、吉田 晴彦1、新船 幸二1、堀田 育志1 (1.兵県大工)

キーワード:強相関電子系、金属絶縁体転移、ペロブスカイト

我々はこの金属絶縁体転移をSiデバイスに適用することを検討してきた。そこで金属絶縁体転移を示すペロブスカイト型遷移金属酸化物(La1-XSrX)VO3/Si[LSVO(x)] とSiの接合を作製したところ、この接合デバイスの動作を考察する上で、その界面におけるSrの組成xに対するバレンスバンド不連続性を調査する必要が生じた。本研究では、X線光電子分光(XPS)法を用いてLSVO(x)/Si界面のバレンス不連続性を見積もったので報告する。