[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-10] アトムプローブトモグラフィー(APT)によるAlGaN/AlGaN-MQW構造解析

〇吉川 陽¹、永富 隆清¹、張 梓懿¹、永瀬 和宏¹ (1.旭化成)

キーワード：AlGaN

近年、環境保護の観点から、水銀ランプの置き換えとして殺菌用途の深紫外LEDが着目され、その発光強度は増加の一途を辿っている。外部量子効率（EQE）は未だ20%程度に留まるが^[1]、内部量子効率（IQE）に至っては80%近くまで到達している^[2]。一方、更なるIQEの向上を目指す上で、MQW構造の界面状態およびAl原子の分布についての現状を把握しておくことは重要である。そこで、本研究では0.5 nmレベルの空間分解能をもつatom probe tomography（APT）を用いて、AlGaN/AlGaN-MQW構造の観察を行った。