[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-13] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、サブバンド間遷移、不揮発メモリ

本研究では、GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移を用いることで、高速な不揮発メモリの実現を目指している。これまで、この不揮発メモリの安定動作化に取り組み、GaN系RTD中の貫通転移の低減や量子井戸構造の改良により、書き込みエラーレートを10^－5まで低下できることを示した。本講演では、本不揮発メモリの動作原理の実験的検証に向けて、電圧パルスに対する応答電流特性を評価したので報告する。