[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-14] 第一原理計算を用いたAlGaN多形の絶縁破壊電界の推定

〇張 惠^1,2、小林 大輔²、山本 知之¹、廣瀬 和之^1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

キーワード：絶縁破壊電界、第一原理計算、AlGaN

先行研究で提案された回復率というパラメータは、絶縁破壊電界(E_bd)の実験値と良い相関があることが確認されている[1, 2]。本研究では、E_bdの測定値が未報告である4H構造AlN, GaNと、2H及び4H構造のAl_xGa_1-xN (x = 0.25, 0.5, 0.75)混晶について、回復率を用いたE_bdの推定を行った。
[1] H. Seki et al., Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 04DA07.
[2] S. Wakao et al., in IWDTF 2013, P-22.