[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-26] RF-MBE法を用いてガラス基板上に成長したInNの成長温度

〇(M1)松尾 翔太¹、土岐 真聖¹、山木 大樹¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：MBE、ガラス基板、InN

窒化物半導体であるInNは高い電子移動度と飽和電子速度を持つため、高速・高周波デバイスへの応用に期待されている。そして、ガラス基板には安価で、透明、耐熱性に優れているという特長がある。そこで、本研究では、ガラス基板上にInNを成長した。その結果、c面サファイア基板上に成長したInNと同程度の移動度を持つInNを得られたので報告する。