[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-32] 原料にGa蒸気を用いるGaN膜の常圧CVDプロセスの検討

〇国枝 航¹、田中 祐樹¹、小南 裕子¹、原 和彦^2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大創科院、3.静岡大電子研)

キーワード：窒化ガリウム、化学気相法、サファイア基板