[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-42] 高濃度GaN:Geスパッタ薄膜を用いたトンネル接合LEDの作製

〇藤原 慎二郎¹、白井 雅紀²、高澤 悟²、関口 寛人^1,3 (1.豊橋技科大、2.(株)アルバック、3.さきがけ)

キーワード：半導体、窒化物、光デバイス

トンネル接合コンタクト技術は抵抗の低減や光吸収損失の低減，アノードカソードで共通電極を用いることによるプロセスの簡便化が可能である。トンネル接合形成後に活性化処理が必要とならないスパッタ法による n+-GaN 成膜に着目した。高濃度 GaN:Ge スパッタ薄膜を用いたトンネル接合LEDを作製した。電流－電圧特性では 高Ge 濃度LED 試料において立ち上がり電圧が低い傾向を示し、トンネル接合コンタクトを用いた LED が実現されたことが示された。