[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-9] pクラッド層の最適化によるAlGaN系深紫外LEDの性能向上

〇富田 優志¹、三嶋 晃²、山岡 優哉¹、有村 忠信¹、小関 修一¹、矢野 良樹¹、松本 功¹、平山 秀樹³ (1.大陽日酸、2.大陽日酸CSE、3.理研)

キーワード：気相成長装置、AlGaN、深紫外発光ダイオード

AlGaN系深紫外LEDの性能に対する、AlGaN-EBL膜厚及びp-GaNコンタクト層のMgドーピング濃度の影響について評価した。AlGaN-EBLの膜厚を35nmから10nmに変化させることでドループが大きく抑制された。また、p-GaNコンタクト層へのMgドーピング濃度を2.0×10¹⁹cm^-3 から1.5×10²⁰cm^-3 に変化させることで、p-GaNコンタクト層の表面カバレッジの改善に加え、素子の破壊される電流値が17mAから100mA以上に向上した。これは局所的な電界集中が抑制されたことが寄与したと推測される。