[18p-B11-1~14] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [18p-B11-11] Strain Evaluation of Laser or RTA Annealed Sn-doped SiGe Layers

〇Shota Komago¹, Ryo Yokogawa^1,2, Kazutoshi Yoshioka¹, Naomi Sawamoto¹, John Borland³, Takashi Kuroi⁴, Yoji Kawasaki⁵, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.J.O.B. Technologies, 4.Nissin Ion Equipment, 5.SMIT)

Keywords:semiconductor, strain, SiGe

GeはSiと比べて高いキャリア移動度を有するため、次世代チャネル材料として期待されている。また、ソース・ドレイン領域にCやSi又はSnを導入することで、それぞれ引っ張り又は圧縮歪が印加され、移動度を向上させることができる。7 nmノードになるとGe-pMOSにはチャネル領域に2%の圧縮歪、一方でGe-nMOSには2%の引っ張り歪が必要となる。2%の引っ張り歪には53%のSi又は5.4%のC、対して2%の圧縮歪には13%のSnの導入が必要となる。本研究では、歪制御を目的にSi基板にGe、Snイオンを注入後、RTA又はLAを施し、熱処理プロセスによる歪状態の差異を評価した。