[18p-B11-1~14] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[18p-B11-12] Investigation of Atomic-layer Defect-free Ge Etching by HBr Neutral Beam

〇Daisuke Ohori¹, Takuya Fujii¹, Shuichi Noda², Wataru Mizubayashi², Kazuhiko Endo^1,2, Yiming Li⁴, Yao-Jen Lee⁵, Takuya Ozaki¹, Seiji Samukawa^1,2,3 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIST, 3.AIMR, Tohoku Univ., 4.NCTU, 5.NDL)

Keywords:neutral beam etching, Ge Fin structure

Siプレーナ形MOSトランジスタの短チャネル効果によるゲート長の微細化の限界により3次元Fin型電界効果トランジスタ構造が用いられている。さらにより高いキャリア移動度をもつGeを従来のSiと置き換えることで更なる高性能化が期待される。本研究では、NBエッチングにおいてHBrガスを採用することで、原子層で欠陥がなく平坦なGe Fin構造の形成に必要不可欠なより高い選択性と垂直性を実現できることを明らかにした。