[18p-B11-1~14] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[18p-B11-14] Selective chemical vapor deposition of Cu on Ru using CuI

〇Kensuke Horiuchi¹, Tastuya Joutsuka¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Cu metalization, chemical vapor doposition, selective deposition

CVD法による金属の選択形成は、集積回路の配線工程において非常に有用なプロセスである。銅の選択形成は、これまでにCu錯体を原料とした方法が報告されている。これに対し我々は、ヨウ化銅（Ｉ）（CuI）を原料とすることで、300^oC程度の低温で導体上へのみ銅を選択的に形成できるCVD法を提案している。しなしながら、形成した銅は離散的であったことから、今回は堆積温度と原料供給速度の制御によるRu(001) 上での銅の成長形態の改善を試みた。