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△ [18p-B11-3] 65 nm thin BOX FDSOI での急峻SS“PN-Body-Tied SOI-FET”特性確認
キーワード:極低消費電力デバイス、スティープ・スロープ・デバイス、SOI-FET
我々は極低消費電力LSI実現のために新構造デバイスとして“PN-Body-Tied (PNBT) SOI-FET” を提案し,1mV/dec を切る非常に急峻なSS を報告している.今までは 200nmSOI 技術を使っていたが,今回,初めて65 nm thin BOX FDSOI process でPNBT SOI-FETを試作し,1mV/decを切る急峻なSS を確認した.