[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18p-B11-6] ZnSnO/SiGe積層構造を用いたn-およびp-TFETの動作実証

〇加藤 公彦^1,2、Jo Kwangwon²、松井 裕章²、田畑 仁²、森 貴洋¹、森田 行則¹、松川 貴¹、竹中 充²、高木 信一² (1.産総研、2.東大院工)

キーワード：トンネルFET、ZnSnO、SiGe

急峻トランジスタとして着目されるトンネルFETの高性能化に向け、我々は、n型酸化物半導体とp型IV族半導体とを組み合わせた積層型トンネルFET構造を提案している。本研究では、SiGe-on-insulatorを活用したZnSnO/SiGe構造において、初めてp型TFET動作に成功した。加えて本研究では、トップゲートとバックゲートを適切に配置することで単一素子によるn型／p型両方の動作が可能であることを実証し、積層型トンネルFETを用いた集積回路実現が期待できる。