[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [18p-B11-7] Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響

〇隅田 圭¹、竹安 淳¹、加藤 公彦¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 満¹、高木 信一¹ (1.東京大院工)

キーワード：III-V族半導体、MOSFET、Smart Cut

3次元集積CMOS構造を実現する上で, 低温での素子作製が可能なIII-V-OI nMOSFETが有望である. 本講演ではSmart Cut法で作製したInAs-OI基板の物性を評価し, 400ºCの熱処理によって結晶性が著しく向上することを見出した. Smart Cut法で形成した後のInAs-OI基板を, 200-400ºCの各温度でアニールした後に, ラマン測定とホール測定によって結晶性と電子移動度を比較した. 最後に熱処理後の基板をCMPによってRMSを0.3nmまで平坦化し, 膜厚が20nmのInAs-OI MOSFETの動作を実証した.